耐壓100V也很容易實現
在硅晶圓上批量制造的優點除了可量產之外，還包括：容易實現多個芯片的串聯和并聯，能夠以高自由度設計工作電壓和靜電容量。串聯和并聯引起的電壓和靜電容量的變化“幾乎跟課本上說的一樣”（產綜研納米管實用化研究中心負責人畠賢治）。
例如，如果單個芯片的耐壓為1V、靜電容量為約30μF，將這樣的4個芯片串聯成一組，并聯4組，可以實現耐壓為4V、靜電容量約30μF的器件（圖1（a））。如果將100個芯片串聯，還可以實現耐壓100V。將100個芯片并聯，可以實現約3000μF的靜電容量。
可用于AC-DC轉換
IEDC也存在一些課題。一是等效串聯電阻（ESR）比鋁電解電容器大。一般來說，較大的ESR不適合處理高頻和大電流的用途。即便如此，產綜研表示，已確認這種IEDC在60Hz的AC-DC轉換等較低頻率領域用途可正常工作。
ESR大當然也有有利的一方面。因為在尺寸小這一點上與IEDC形成競爭的MLCC就存在ESR過小而容易振蕩的課題。
IEDC的另一個課題是制造成本高（圖3）。原因是光刻裝置等的成本高，但畠賢治表示“單價有可能降到100日元左右，與MEMS（微電子機械系統）元件剛開始量產時差不多”。
圖3：將來成本將與MEMS元件相當
IEDC的特點、課題及今后的開發方向。由于采用光刻技術，即使成本降低，單個的成本也在100日元左右，與MEMS相當，仍比鋁電解電容器高。但另一方面，IEDC具有附加值，例如可以在SoC的封裝內安裝、在樹脂基板上制造等。今后有望進一步小型化，成品率也會提高。
高成本靠高附加值抵銷
產綜研對IEDC的希望是，找到可充分利用其附加價值的新用途使之投入實用，而不是與現有產品一味進行價格競爭。
今后，產綜研將通過增加CNT的膜厚，進一步減小芯片尺寸，同時將目前約為90％的成品率提高到99％以上，并實現實用化。畠賢治表示“還打算取代Si基板，在樹脂基板上制造IEDC，以降低其成本，擴大其用途”。
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