除了能解決外觀問題之外,從轉換效率的角度探討,多晶電池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率為主。黑硅技術能形成亞微米級的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圓端降本、電池片端提效兩方面都同時兼顧。

晶科能源有望在年內實現20.5%高效多晶電池量產

《證券日報》記者日前獲悉,晶科能源有望在年內實現20.5%以上量產效率。而該公司專注于具有可量產性的高效電池開發,目前已經實現了20%以上的高效多晶電池的批量生產。

據了解,金剛線多晶是多晶必要的路徑之一。但過于光亮的硅晶圓片會讓電池片外觀產生線痕問題、也會因常規酸制絨得到的高反射率而降低轉換效率,故須再多加一道表面蝕刻的制程處理,業界普遍稱之為黑硅技術。其中包括干法蝕刻的離子反應法(Reactive Ion Etching,RIE)技術與濕法蝕刻的金屬催化化學腐蝕法(Metal Catalyzed Texturing,MCT)。

除了能解決外觀問題之外,從轉換效率的角度探討,多晶電池片因表面反射率高,故多晶效率的提升主要能以降低光反射率為主。黑硅技術能形成亞微米級的凹坑,提升入射光的捕捉,故在硅晶圓端降本、電池片端提效兩方面都同時兼顧。

今年,晶科能源完成了行業首家干法金剛線黑硅的產品(EAGLE BLACK)推出(提升約5w)。與其他家的RIE技術相比,晶科的RIE工藝能提升亞微米開口,且倒金字塔絨面強、也利于陷光。另外,較黑的電池片也提升了弱光下的表現,同時增加了長、短波光的吸收,讓電池片的效率提升更加顯著。不論是在量產性、或是導入成本與提效的效果上,RIE都是目前最成熟、也最能獲得效益的黑硅技術。PERC(Passivated emitter rear cell)背面鈍化技術能夠大大改善太陽電池背表面的鈍化效果,提升中長波光的光譜響應,從而有效提升電池的開路電壓和短路電流。晶科的RIE結合PERC技術的產品無疑是目前市場上性價比最高的新技術選項之一。

除此之外,晶科對于低成本的濕法黑硅結合金剛線硅片產品已完成制程研發,開始進入認證階段。

隨著晶硅電池制造工藝越來越向更高效、更低成本、更規模化靠近,實驗室效率數據已經開始顯得不那么重要,不同廠商對于技術的客觀定義也不同,對于晶科而言,能大量生產和兼顧成本優勢的高效率產品,也在極大成大上決定了產品的市場價值。最重要的是能實現量產,而不是實驗室樣品。在未來的工藝大戰中,這些特征指標才是技術的真正體現。我們的20%多晶電池已進入正式量產階段,下一時代更高效率電池制程推進也符合預期。公司預計在未來3-5年時間內,實現60片多晶330瓦的量產,從而能將功率在現在基礎上可提升22-30%。”

[責任編輯:梁小婧]

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